封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：100V

Id-连续漏极电流：80A

Rds On-漏源导通电阻：7mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：55nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：125W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：45S

下降时间：8ns

上升时间：42ns

典型关闭延迟时间：31ns

典型接通延迟时间：18ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：8.2mΩ

IDpuls max：320.0A

VDS max：100.0V

ID max：80.0 A

RthJC max：1.2 K/W

QG (typ @10V)：42.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Operating Temperature min max：-55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：0.58

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：125.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMD

Coss：523.0pF

Ciss：2990.0pF

VGS(th) min max：2.0V 3.5V

VGS(th) (typ) min max：2.7 V 2.0 V 3.5 V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs